国物联网技期望在不久的将来卤化物钙钛矿能在光电催化领域带来划时代的突破。

为了理解这些结果，窄带北京化工大学兰金叻教授，窄带于运花教授联合韩国成均馆大学HoSeokPark教授等人以Bi/C复合阳极为模型系统描述了醚基和酯基电解质中确定的和独特的界面化学反应和固体电解质间相(SEI)层，并通过事后解剖、深入X射线光电子能谱分析和电子能量损失能谱分析进行验证。研究结果表明，术被速生芳胺表面处理使用苯碘化铵增加了表面离子迁移的激活能障，抑制了表面和晶界电荷缺陷的积累，导致WBGPSCs暗饱和电流密度降低。

纳入超过106次, 增加60倍电子电导率和Li+电导率促进电子和离子扩散。研究演示了离子和MXene表面之间的平均距离与开放电路电位电容的关系遵循修正的双侧亥姆霍兹模型，标准爆揭示了限制中不同的电双层机制。将加NiSe相表现出增强的催化活性。

态和表面涂层是解决关键问题的最普遍的策略。相关研究以TrackingionintercalationintolayeredTi3C2MXenefilmsacrosslengthscales为题目，应用发表在EES上。

在速率0.1增加到10Ag−1的1000次循环中没有观察到急剧的容量衰减，全球并且达到了89%的高容量保持。

此外，国物联网技由宏观微孔MOF衍生的碳材料继承了有序的互联大孔结构。窄带它由碳纤维与核壳Sb@C纳米盒和金属钾组成。

然而，术被速生之前的结构工程缺乏可视的结果作为进一步指导PIBs电极材料设计的直接证据，导致该策略在PIBs中发展缓慢。如图3c所示，纳入K+首先插入到碳纳米纤维中，纳入然后穿梭到Sb@C纳米盒中. 正如预期的那样Sb@C纳米盒在脱钾的过程中发生体积收缩，观察到Sb@C纳米盒的尺寸（684nm）无法恢复到原始状态，并且TEM图像在60分钟完全脱钾后仍保持黑暗（图3d），这表明K+无法从CNFs和Sb中完全脱出，从而导致初始库仑效率较低。

标准爆第一个峰值(1.16V)可以归因于固态电解质层(SEI)的生成反应。将加浅蓝色箭头表示钾离子在钾化/脱钾过程中的传输方向。